晶圓鍵合是近十幾年快速發(fā)展起來(lái)的新興半導(dǎo)體加工技術(shù)，在MEMS，CIS和存儲(chǔ)芯片等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，得到越來(lái)越多的關(guān)注。

在信息的海洋中，晶圓鍵合的存在感相比光刻技術(shù)顯得異常稀薄，但是當(dāng)我們拿出一臺(tái)手機(jī)，他的圖像傳感器，重力加速傳感器，麥克風(fēng)，4G和5G射頻前端，以及部分NAND，都或多或少應(yīng)用到了晶圓鍵合的技術(shù)?？梢哉f(shuō)，晶圓鍵合技術(shù)為我們的信息化生活做出了重要的貢獻(xiàn)。 

晶圓鍵合(wafer bonding)，從名字上就可以同傳統(tǒng)封裝中應(yīng)用到的引線鍵合wire bonding和貼片鍵合die bonding所區(qū)分。日語(yǔ)中，bonding被翻譯為接合，從直觀印象上更方便于理解這一工藝和過(guò)程。

從鍵合方式上來(lái)分類(lèi)，晶圓鍵合可以分為永久鍵合和臨時(shí)鍵合。區(qū)別也顧名思義，永久鍵合后無(wú)需再解鍵合(debonding)，而臨時(shí)鍵合還需要解鍵合，將接合在一起的晶圓重新打開(kāi)。

從界面材料來(lái)講，分為帶中間層的膠鍵合，共晶鍵合，金屬熱壓鍵，無(wú)中間層的熔融鍵合(fusion bonding)和陽(yáng)極鍵合等。

說(shuō)到混合鍵合最典型的應(yīng)用，毫無(wú)疑問(wèn)就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking®了。通過(guò)不同的工藝，先后制作Memory晶圓和CMOS晶圓，在后道制程中構(gòu)建兩者的觸點(diǎn)。通過(guò)混合鍵合，這些觸點(diǎn)被鏈接導(dǎo)通，Memory和CMOS就在垂直方向?qū)崿F(xiàn)了互聯(lián)。

按照Frauebhofer研究所的說(shuō)法，混合鍵合的優(yōu)勢(shì)有三：

1.更短的互聯(lián)距離：不僅不需要用引線互相聯(lián)通，也無(wú)需用TSV穿過(guò)整個(gè)CMOS層，僅僅通過(guò)連接后道的銅觸點(diǎn)就可以實(shí)現(xiàn)互聯(lián)。 

2.更高的互聯(lián)密度：銅觸點(diǎn)的面積非常小，相比直徑百微米的錫球和TSV，混合鍵合工藝中的銅觸點(diǎn)的pitch size甚至都不足10微米，無(wú)疑可以實(shí)現(xiàn)更高的互聯(lián)密度。

3.更低的成本：毫無(wú)疑問(wèn)，針對(duì)每顆DIE單獨(dú)進(jìn)行互聯(lián)需要更多的時(shí)間，通過(guò)晶圓鍵合可以實(shí)現(xiàn)大面積高密度的互聯(lián)，對(duì)產(chǎn)能的提升的貢獻(xiàn)是飛躍性的！自然，生產(chǎn)成本也可以得以降低。