顯影是在曝光后的重要步驟，利用曝光區(qū)域在化學性質(zhì)上與未暴光的區(qū)域不同，在特定的化學溶液中選擇性的保留曝光區(qū)域（負膠）或者未曝光區(qū)域（正膠）的過程。從而獲得最終所需的光刻膠結(jié)構(gòu)。顯影液的選擇需要考慮以下幾個因素：

與光刻膠的兼容性

不是所有的光刻膠都可以用所有的顯影液毫無殘留的顯影。因此我們需要加以選擇，一般來說我們的光刻膠介紹資料上都會有推薦的一種或者幾種顯影液。

選擇含金屬離子顯影液還是不含金屬離子的顯影液？

含金屬離子顯影液在成本上相比于基于TMAH的不含金屬離子顯影液便宜的多，在性能上沒有什么差異。
因此，選擇最佳顯影液的一個重要標準就是顯影液必須是無金屬離子的(MIF)還是可以使用含金屬離子的(MIC)顯影液的問題。例如，游離的金屬離子是必須排除的一種條件，即顯影液在襯底上殘留的鈉或鉀離子在隨后的高溫過程中擴散到半導體襯底上，并作為雜質(zhì)影響襯底的電學性質(zhì)。 

選擇濃縮顯影液還是配置好的顯影液？

金屬離子顯影劑，如AZ®351B、AZ®400K或者Allresist公司的AR 300-26顯影液，通常以濃縮液供應，并在使用前需要用去離子水稀釋。
而大部分基于TMAH的不含金屬離子的顯影液，如以2.38% THMA為基礎(chǔ)的AZ®326 MIF，Allresist公司的AR 300-44是已經(jīng)稀釋(隨時可用)的顯影液，只有在特殊的應用工藝中需要稍微做進一步稀釋使用。

與襯底的兼容性

顯影液與所使用的襯底材料的兼容性也必須考慮：大多數(shù)顯影液由于其高pH值（約為13）所以會腐蝕對堿性敏感金屬如鋁和銅等以及各種化合物半導體，同時襯底背面的刻蝕也需要注意。
市面上一些基于偏硅酸鈉和磷酸鹽的顯影液能夠減小對鋁的腐蝕，對其他堿敏感材料的刻蝕程度也小于其他顯影液。

與設(shè)備和顯影工藝的兼容性

對于浸沒顯影(燒杯或槽內(nèi))，基本上所有顯影都適用。然而，如果對顯影液進行強力機械再循環(huán)，例如添加顯影液中的表面活性劑的發(fā)泡可能會產(chǎn)生問題。 
在噴淋顯影過程中，含表面活性劑顯影劑的泡沫形成會導致顯影不均勻。 
然而，這些表面活性劑作為潤濕劑是在攪拌顯影過程中快速和均勻潤濕襯底的先決條件，從而使顯影結(jié)果在整個襯底上都是均勻的。

MIC和MIF顯影液之間的不兼容

微量的TMAH基金屬非離子顯影液體（如AZ®326 MIF, 726 MIF或826 MIF）的加入可以顯著降低含金屬離子顯影液（如 AZ®400K或351B ）的顯影速率。如果在同時使用兩種類型的顯影液，即使在ppm范圍內(nèi)，也要確保非常干凈的工作，以防止相互污染，例如在管路分配系統(tǒng)或顯影容器中。